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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 150 GB 60 DLC
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prufspannung insulation test voltage tP= 1ms Tc= 60C Tc= 25C tP= 1ms, Tc= 60C VCES IC,nom. IC ICRM 600 150 180 300 V A A A
Tc= 25C, Transistor
Ptot
595
W
VGES
+/- 20V
V
IF
150
A
IFRM
300
A
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C
I2t
2.300
A2s
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sattigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Eingangskapazitat input capacitance Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC= 150A, VGE= 15V, Tvj= 25C IC= 150A, VGE= 15V, Tvj= 125C IC= 3,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25C VCE sat
min.
VGE(th) 4,5
typ.
1,95 2,20 5,5
max.
2,45 6,5 V V V
f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
-
6,5
-
nF
f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25C VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125C VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C
Cres
-
0,6 1 1 -
500 400
nF A mA nA
ICES
IGES
-
prepared by: Andreas Vetter approved by: Michael Hornkamp
date of publication: 2000-04-26 revision: 1
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BSM 150 GB 60 DLC 2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 150 GB 60 DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
IC= 150A, VCC= 300V Einschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 125C IC= 150A, VCC= 300V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 125C IC= 150A, VCC= 300V Abschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 125C IC= 150A, VCC= 300V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 1,5, Tvj= 125C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschluverhalten SC Data Modulinduktivitat stray inductance module Modul-Leitungswiderstand, Anschlusse - Chip lead resistance, terminals - chip Tc= 25C IC= 150A, VCC= 300V, VGE= 15V RG= 1,5, Tvj= 125C, L = 15nH IC= 150A, VCC= 300V, VGE= 15V RG= 1,5, Tvj= 125C, L = 15nH tP 10sec, VGE 15V Tvj125C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LCE *di/dt Eon tf 25 35 2,3 ns ns mJ td,off 200 225 ns ns tr 28 30 ns ns td,on 115 125 ns ns
min.
typ.
max.
Eoff
-
4,6
-
mJ
ISC
-
675
-
A
LCE
-
40
-
nH
RCC'+EE'
-
1,0
-
m
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaspannung forward voltage IF= 150A, VGE= 0V, Tvj= 25C IF= 150A, VGE= 0V, Tvj= 125C IF= 150A, -diF/dt= 5600A/sec Ruckstromspitze peak reverse recovery current VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125C IF= 150A, -diF/dt= 5600A/sec Sperrverzogerungsladung recoverred charge VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125C IF= 150A, -diF/dt= 5600A/sec Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125C Erec 4,7 mJ mJ Qr 11 19 C C IRM 180 215 A A VF
min.
-
typ.
1,25 1,20
max.
1,6 V V
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 150 GB 60 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode / diode, DC pro Modul / per module Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K RthJC RthCK -
typ.
0,02
max.
0,21 0,40 K/W K/W K/W
Tvj
-
-
150
C
Top
-40
-
125
C
Tstg
-40
-
125
C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage insulation Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment fur mech. Befestigung mounting torque Schraube M6 screw M6 M1 -15 Al2O3
15
mm
8,5
mm
275 5 +15 Nm %
Gewicht weight
G
180
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 150 GB 60 DLC
Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C= f (VCE)
VGE= 15V
300
250
Tvj = 25C Tvj = 125C
200
IC [A]
150
100
50
0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical)
300
I C= f (VCE)
Tvj= 125C
250
VGE = 8V VGE = 9V VGE = 10V
200
VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V
IC [A]
150
100
50
0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 150 GB 60 DLC
Ubertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C= f (VGE)
VCE= 20V
300
Tvj = 25C Tvj = 125C
250
200
IC [A]
150
100
50
0 5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical)
300
Tvj = 25C
I F= f (VF)
250
Tvj = 125C
200
IF [A]
150
100
50
0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
VF [V]
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 150 GB 60 DLC
Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC)
RG,on= 1,5,=RG,off = 1,5 , VCC= 300V, Tvj= 125C ,= ,
10 9 8 7 E [mJ] 6 5 4 3 2 1 0 0 50 100 150 200 250 300
Eon Eoff Erec
IC [A]
Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical)
10 9
Eon
E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG)
IC= 150A , VCC= 300V , Tvj = 125C
8 7 E [mJ] 6 5 4 3 2 1 0 0 2
Eoff Erec
4
6
8
10
12
14
RG []
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 150 GB 60 DLC
Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance Z thJC = f (t)
1
0,1
ZthJC [K / W]
Zth:IGBT 0,01 Zth:Diode
0,001 0,001
0,01
0,1
1
10
t [sec] i ri [K/kW] i [sec] ri [K/kW] i [sec]
1 8,9 0,0018 141,0 0,0487 2 110,0 0,0240 135,2 0,0169 3 74,0 0,0651 84,9 0,1069 4 17,0 0,6626 38,9 0,9115
: IGBT : IGBT : Diode : Diode
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA)
350 300 250 200 150 IC,Modul 100 50 0 0 100 200 300 400 IC,Chip
VGE= +15V, R G,off = 1,5, Tvj= 125C ,
IC [A]
500
600
700
VCE [V]
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM 150 GB 60 DLC
Gehausemae / Schaltbild Package outline / Circuit diagram
13 10
M5
2,8 x 0,5
6
1
17
2
6
3
6 7
23 80 94
23
17
5 4
6 7 1 3 5 2 4
8 (8)
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